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由于短距离互连的损耗低，以及整合接收器技术进展，新的nano-LED组件可望以超精的光源大幅提升芯片间的数据传输速度...
当论及在不同处理器或内存之间提高芯片之间的传输流量时，光子学是一个热门的话题。 截至目前为止，微波导、光调变器、输出耦合光闸与光探测器均已成功进行整合了，但要设计理想的微米级光源仍十分具有挑战性。
荷兰爱因霍芬科技大学(Eindhoven University of Technology)的研究人员在最近一期的《自然通讯》(Nature Communications)期刊中发表有关“芯片上波导耦合奈米柱金属腔发光二极管”(Waveguide-coupled nanopillar metal-cavity light-emitting diodes on silicon)的最新研究。 研究人员展示一种接合至硅基板的奈米级LED层堆栈，并可耦合至磷化铟(InP)薄膜波导形成光闸耦合器。
新式奈米级LED (nano-LED)的扫描式电子显微镜图(SEM)显示在金属化之前的制造组件结构。 奈米柱LED位于连接至光闸耦合器的波导顶部
这种nano-LED采用次微米级的奈米柱形状，其效率可较前一代组件更高1,000倍，在室温下的输出功率仅几奈瓦(nW)，相形之下，先前的研究结果约为皮瓦(pW)级输出功率。 根据该研究论文显示，这种组件能够展现相当高的外部量子效率(室温分别为10^−4～10^−2，以及9.5K)。
而在低温时，研究人员发布的功率级为50nW，相当于在1Gb/s速率下每位传输超过400个光子，这一数字“远远高于理想接收器的散粒噪声(shot-noise)极限灵敏度。 ”该组件作业于电信波长(1.55μm)，能以频率高达5GHz的脉冲波形产生器进行调变。
硅基板上的奈米柱状LED示意图。 从顶层到底层的堆栈分别是：n-InGaAs(100 nm)/n-InP(350 nm)/InGaAs(350 nm)/p-InP(600 nm)/p-nGaAsP(200 nm)/InP(250 nm)/SiO 2/BCB/SiO2/Si
研究人员表示，“由于短距离互连的损耗低，以及整合接收器技术持续进展，这一功率级可望以超精巧的光源实现芯片内部的数据传输。 ”
研究人员还开发了一种表面钝化方法，能够进一步为nano-LED提高100倍的效率，同时透过改善奥姆接触(ohmic contact)进一步降低功耗。
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雷达卡
发表于 2017-3-20 13:13
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