等离子蚀刻机（干刻）与等离子清洗机是一件事吗？
国内这个领域的设备制造处于什么水平？本帖最后由 libaizibubai 于 2018-11-22 15:06 编辑
一个是用来制作TFT器件的关键制程设备，一个是用来清除有机物的清洗设备。
原理上类似，不过复杂程度完全不一样。
上班期间，先随便写一下。后面再编辑。
抱歉，拖了这么久才写。
言归正传，
要说等离子刻蚀机，我们先从TFT的这个工序说起。
说起Dry Etch（以下简称DE，又称干刻）这个制程，我们先来看看刻蚀是啥玩意：
刻蚀嘛，分为干刻和湿刻。
利用特定的溶液和薄膜发生反应，这个叫湿刻。
利用等离子电浆去除未被PR覆盖的薄膜，这个叫干刻，顾名思义，这个制程是没有液体参与的。
DE这个制程，工艺原理如下：
Plasma，是一种电离气体，通过DE机台产生的。
那么来说等离子刻蚀机：
网上找个图片，参考一下：
一般一台机有几个腔室，腔室的构造目前主要分为如下几种：
简单来说，就是基板在电极的不同侧，然后控制Plasama的方式不同。
另外，因为DE的条件不同，需要不同的气体，如CL2，SF6等。
还有为保证Plasma质量，需要高真空度。
那么等离子清洗机呢？
这个构造就简单的多了，它不用来刻蚀，仅仅是清洗玻璃表面的有机物。不需要高真空，也不需要特殊气体。
没找到图片，简单画了一个，不要介意。
这个东西就是一个长方形盒子，玻璃从底下走过去的时候，实现清洗功能。
它的原理就是电离空气中的O2，产生氧离子，和有机物发生反应。
简单来将蚀刻和清洗是两种不同工艺，通的工艺气体不同。等离子清洗机国产的非常多了，如果不是对均匀性和温度要求高的话，国产基本能满足。至于蚀刻机，老实说就算进口做的好的品牌也屈指可数。 CVD=Chemical Vapor Deposition ，在相当高的温度下，混合气体与工件表面相互作用，使混合气体中的某些成分分解，在工件表面形成金属或化合物固态薄膜或镀层。其为TFT制造中的一道重要工序。
等离子清洗主要为对气体施加足够的能量使之离化变成等离子状态。通过利用这些活性组分的性质来处理样品表面，从而实现清洁目的，主要用于清洁有机物。 楼上那个强强基本说的就是你要的答案了，你要说国内的设备制造水平，那我可以给你讲就是基本为零，我们用的基本所有设备都是进口日韩以及欧美的设备的。 本帖最后由 libaizibubai 于 2018-11-22 15:07 编辑
然而我只认得字 本帖最后由 libaizibubai 于 2018-11-22 15:07 编辑
不过偶什么都不会
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